128TB的SSD,有一块就够了

08-16 22:19 首页 大数网

三星公司将闪存容量提升至了新的高度。

三星公司下一代小尺寸 SSD


三星公司已经宣布了四条闪存公告,分别为高容量芯片、高速驱动器、新型封装格式以及希捷Kinetic磁盘概念的一套闪存版本。


首先是三星公司利用其V-NAND 3D NAND技术打造的1Tb闪存芯片。顺带一提,东芝公司也推出了其64层512Gb芯片设计方案,并公布了利用QLC(即四层单元)技术构建的786 Gb晶片。目前东芝与西部数据也已经打造出96层芯片原型设计,并开始讨论1Tb芯片技术。


三星公司预计其1Tb芯片将于2018年年内推出,并应能够在堆叠有16块1Tb晶片的V-NAND封装内实现2TB存储容量。我们猜测这有可能将目前的三星V-NAND SSA存储容量提升一倍。


在新闻发布会上,三星公司谈到了一款采用QLC(四层单元)技术并包含有32块堆叠芯片、可实现各芯片并行访问的128TB SAS闪存驱动器。


NGSFF


三星公司认为目前的2.5英寸与M.2外观形式并不适合小型1U服务器的实际需求,并认为有必要推出新的安装格式——其能够实现更高闪存存储容量与IOPS水平。三星方面将其称为下一代小型尺寸,简称NGSFF,且目前已经公布了一款16TB NGSFF驱动器样品。


三星NGSFF SSD


这款闪存卡的尺寸为30.5毫米x 110毫米x 4.38毫米。相比之下,M.2格式为12到30毫米宽,长度则为16到110毫米,而且大部分已发布闪存卡为22毫米宽,30到110毫米长。三星公司的NGSFF在尺寸上基本接近最大的M.2存储卡。长度与/或宽度超过此水平的存储卡能够安装更多闪存芯片。


三星公司提供一套1U 576TB服务器参考系统,其中包含36块16TB NGSFF卡,其可提供约1000万随机IOPS,相当于采用2.5英寸SSD的1U服务器的三倍。


其计划于2017年第四季度实现NGSFF卡量产,并逐步推动此格式实现标准化。


Z-SSD


另外,三星公司公布了一款SZ985 Z-SSD产品。


该公司在去年的闪存存储器峰会上公布了其超越基础NAND速度表现的Z-SSD。其似乎属于一类配合有NVMe接口的优化型SLC(即单层单元)闪存类别。Z-SSD的定位与英特尔/美光打造的3D XPoint技术相同,凭借着25微秒的极低延迟水平提供四倍于当前标准NVMe闪存的速度表现。


SZ985拥有15微秒读取延迟,相当于NVMe SSD的七分之一,因此能够将系统响应时间缩短至原本的十二分之一。根据三星公司的说法,其希望可将这款产品推向数据中心与需要采用实时“大数据”分析及高性能服务器缓存的企业系统。


这将直接冲击英特尔打造的P4800X Optane驱动器。


另外,我们还期待着第二代Z-SSD能够采用MLC(双层单元)设计。


键值SSD(Key-Value)


三星公司公布的第四条新闻为一款键值SSD。


初创企业OpenIO伺正在开发一款配备有ARM CPU前端的磁盘驱动器,旨在提供直接以太网接口并在驱动器之内存储键:值对象。这一设计思路源自希捷公司此前发布的Kinetic磁盘驱动器概念——其同样提供直接以太网接口以及内置键:值存储机制。


三星公司认为,如果能够直接存储数据对象而无需将其转换为逻辑块并与物理块进行映射,那么SSD将能够提供更快速度读取与交付速度。单一数据条目将被赋予一个键以作为其直接地址,且与其具体大小无关。


三星公司指出,如此一来,当数据进行读取或者写入时,键值SSD将能够降低冗余步骤,从而带来更快的数据输入与输出速度,同时显著提升SSD的使用寿命。


不过三星方面还需要努力推动与软件及应用程序合作伙伴的协作,从而真正使此类闪存存储为市场所接纳。我们还记得,Scality公司此前曾对Kinetic设计思路表示支持——这应该会促成其与三星公司间的合作。


本文转自“至顶头条”



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